华中科技大学2019年光学与电子信息学院考研复试科目考试范围

《单片机原理》考试范围

参考书：

胡乾斌，《单片微型计算机原理与应用》，2006年，华中科技大学

考试范围：

*一章：概述1.1—1.4，1.6

重点：计算机中的数和编码

第二章：单片机的内部结构

重点：2.2CPU

2.5MCS-51的存储器结构

第三章：指令系统

重点：3.2寻址方式

3.3.1数据传送

3.3.2算术运算

3.3.4控制转移

第四章：汇编语言程序设计

重点：4.2.3分支程序

4.2.4循环程序

第五章：存储器5.1，5.4，5.5

重点：存储器的扩展

第六章：中断系统6.16.2

重点：基本概念和应用

第八章：定时器/计数器

8.1MCS-51的定时器

第九章中的9.1节

《光电技术》考试范围

教材：江文杰，曾学文，《光电技术》，科学出版社，2009。*一版

考试范围：1-10章，

重点复习*一章1.1&1.3、第二章2.1、三～六章、第7章7.3、第8章8.1～8.3、第9章9.1～9.2、第10章10.2～10.3内容。

《激光技术》考试范围

参考书：《激光技术》第二版，蓝信钜等编，科学出版社，2005.1

考试范围：*一章激光调制与偏转技术

第二章调Q(Q开关技术)

第四章激光放大技术

《微电子器件与IC设计》考试范围

1.教材：《微电子器件与IC设计基础》，刘刚等编，第二版

2.考试内容：

第二章PN结的基本概念和公式

第三章双极晶体管

第五章MOSFET

其中，第三章和第五章是重点。

《电子材料物理》考试范围

一、考试内容

考试内容包括：电子材料的结构、缺陷与相变；材料的电导性质；材料的介电性能；材料的磁学性能；材料的光学性质。

二、参考书目：

吕文中汪小红范桂芬《电子材料物理》（第二版），科学出版社

三、考查要点

1电子材料的结构、缺陷与相变

晶体的结构与对称性、典型晶体的结构、鲍林规则、晶体场理论、点缺陷的形成、缺陷扩散机制、缺陷反应方程式、固溶体、相变、相律、相图。

2材料的电导性质

电子电导、离子电导的概念、特点、影响因素及计算，界面、表面效应

3材料的介电性质

材料的极化类型与特点，克劳修斯-莫索缔方程，德拜方程、自发极化、电滞回线、铁电体、压电效应与热释电效应

4材料的磁学性质

磁性的起源，磁性的分类与特点，磁矩及饱和磁化强度的计算，磁畴、磁滞回线，静态磁化与动态磁化，旋磁性与铁磁共振，磁电效应、磁光效应

5材料的光学性质；

光与物质的相互作用，物质的折射率与色散，介质的透光性，材料中的光发射，介质中的光学效应

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